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      Nano -silver wire
      全部分類

      納米銀線

      納米線是一種納米尺度(1納米=10^-9米)的線。 換一種說法,納米線可以被定義為一種具有在橫向上被限制在100納米以下(縱向沒有限制)的一維結(jié)構(gòu)。這種尺度上,量子力學效應很重要,因此也被稱作"量子線"。根據(jù)組成材料的不同,納米線可分為不同的類型,包括金屬納米線(如:Ni,Pt,Au等),半導體納米線(如:InP,Si,GaN 等)和絕緣體納米線(如:SiO2,TiO2等)。分子納米線由重復的分子元組成,可以是有機的(如:DNA)或者是無機的(如:Mo6S9-xIx)。 作為納米技術(shù)的一個重要組成部分,納米線可以被用來制作超小電路。 銀納米線除具有銀優(yōu)良的導電性之外,由于納米級別的尺寸效應,還具有優(yōu)異的透光性、耐曲撓性。因此被視為是最有可能替代傳統(tǒng)ITO透明電極的材料,為實現(xiàn)柔性、可彎折LED顯示、觸摸屏等提供了可能,并已有大量的研究將其應用于薄膜太陽能電池。此外由于銀納米線的大長徑比效應,使其在導電膠、導熱膠等方面的應用中也具有突出的優(yōu)勢。

       

      納米銀線定義

       

      一種具有在橫向上被限制在100納米以下(縱向沒有限制)的銀金屬一維結(jié)構(gòu)。

       

      納米銀線特點

       

      具有銀優(yōu)良的導電性,優(yōu)異的透光性、耐曲撓性。被視為新一代人機交互的關鍵材料。

       

      納米銀線應用

       

      可大規(guī)模用在柔性可折疊設備、大尺寸觸控屏、透明LED薄膜、光伏電池、液晶調(diào)光膜等方面。

       

      原創(chuàng)性

       

      自主研發(fā),擁有核心技術(shù)

       

      獨特性

       

      獨特的純化技術(shù),效率更高、品質(zhì)更好

       

       

      先進性

       

      先進的卷對卷涂布工藝,效率更高

       

      持續(xù)性

       

      從原材料到成品均是自主研發(fā)、制造

       

      HKT納米銀墨水:突破世界最小8納米,透光度更高、電阻更小

      對納米銀線技術(shù)的考核標準之一就是看材料的長徑比能否做到更高,長度越長、直徑越小,其透光度就越高、電阻就越小,更適合材料在產(chǎn)品上的應用。

      Wiley權(quán)威收錄

      2022年,華科創(chuàng)智納米銀線技術(shù)獲得全球歷史最悠久、最知名的學術(shù)出版商——Wiley Online Library權(quán)威首發(fā)收錄。

       

      HKT納米銀線的市場表現(xiàn)

      與ITO、金屬網(wǎng)格、碳納米管等材料相比,納米銀線具有導電性好、透光性佳、彎曲性好、成本低、穩(wěn)定性好、無摩爾紋等優(yōu)勢,是新一代人機交互的關鍵材料。

       

       

      ITO

      金屬網(wǎng)格

      碳納米管

      導電聚合物

      石墨烯

      納米銀線

      導電性

      ☆☆☆ ☆☆☆☆☆ ☆☆ ☆☆ ☆☆☆☆☆ ☆☆☆☆☆

      透光性

      ☆☆☆ ☆☆☆☆ ☆☆☆☆☆ ☆☆☆ ☆☆☆☆☆ ☆☆☆☆☆

      彎曲性

      ☆☆ ☆☆☆☆☆ ☆☆☆☆☆ ☆☆☆☆☆ ☆☆☆☆☆

      材料成本優(yōu)勢

      ☆☆☆ ☆☆☆ ☆☆☆☆☆ ☆☆ ☆☆☆☆☆

      制造成本優(yōu)勢

      ☆☆☆ ☆☆☆☆☆ ☆☆☆☆☆

      穩(wěn)定性

      ☆☆☆ ☆☆ ☆☆☆☆☆ ☆☆☆ ☆☆☆☆☆ ☆☆☆☆☆

      摩爾紋消除

      ☆☆☆☆ ☆☆☆☆☆ ☆☆☆☆☆ ☆☆☆☆☆ ☆☆☆☆☆

       

      HKT納米銀線與其它技術(shù)路線

      納米銀線電容屏

      納米銀線成本較低;

      納米銀線方阻低,觸控反應速度快,可滿足大尺寸產(chǎn)品觸控精度要求,是大中尺寸觸摸屏最優(yōu)技術(shù)路徑;

      納米銀線可彎曲,柔性表現(xiàn)較好,可用于曲面產(chǎn)品觸控;

      Sensor透光率≥88%。

      ITO電容屏

      低阻ITO電容屏透光率偏低,制約整機亮度及功耗;

      常見阻值在60-100ohm左右,易脆、易斷;

      在柔性襯底上無法做到低阻導電膜,從體驗流暢角度,不適用于55寸以上產(chǎn)品。

      金屬網(wǎng)格電容屏

      線寬>10微米,肉眼可見,影響視覺效果,分辨率偏低;

      開模費高,加工周期長,良率不高,導致成本最高。

       

      HKT納米銀線應用

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